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碳化硅晶片清洗工艺_百度文库
Web 结果酸洗. 在酸洗槽中加入稀硝酸或稀盐酸溶液，将碳化硅晶片浸泡一段时间。 酸洗的目的是去除碳化硅晶片表面的氧化物和有机物等杂质，恢复其表面的纯净度。 3. 碱洗. 在碱洗槽中加入氢氧化钠或氢氧化铵溶液，将碳化硅晶片浸泡一段时间。 碱洗的目的是 碳化硅晶片清洗工艺_百度文库Web 结果酸洗. 在酸洗槽中加入稀硝酸或稀盐酸溶液，将碳化硅晶片浸泡一段时间。 酸洗的目的是去除碳化硅晶片表面的氧化物和有机物等杂质，恢复其表面的纯净度。 3. 碱洗. 在碱洗槽中加入氢氧化钠或氢氧化铵溶液，将碳化硅晶片浸泡一段时间。 碱洗的目的是
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碳化硅晶片清洗工艺_百度文库
Web 结果碳化硅晶片清洗是制备高性能晶体器件的重要步骤。 通过预处理、主要清洗、二次清洗和检测质量控制等工艺步骤，可以有效地去除晶片表面的污染物和杂质，提高晶片 碳化硅晶片清洗工艺_百度文库Web 结果碳化硅晶片清洗是制备高性能晶体器件的重要步骤。 通过预处理、主要清洗、二次清洗和检测质量控制等工艺步骤，可以有效地去除晶片表面的污染物和杂质，提高晶片
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碳化硅的水洗,酸碱洗与干燥-普通磨料,原辅材料知识-爱锐网
Web 结果2016年9月24日 碳化硅水洗 碳化硅酸碱洗. 摘要： 国内碳化硅制粒中,对150#以粗的处理工艺有几种不同方法.第一种是全部酸碱水洗;第二种是进行碱洗,水洗;第三种是只 碳化硅的水洗,酸碱洗与干燥-普通磨料,原辅材料知识-爱锐网Web 结果2016年9月24日 碳化硅水洗 碳化硅酸碱洗. 摘要： 国内碳化硅制粒中,对150#以粗的处理工艺有几种不同方法.第一种是全部酸碱水洗;第二种是进行碱洗,水洗;第三种是只
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【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法-电子工程专辑
Web 结果2023年9月25日 碳化硅有望成为下一代功率器件的优秀材料，因为它们具有宽禁带。 RCA清洗通常用于Si晶圆制造，但这类清洗针对Si晶圆进行了优化。 目前尚不清 【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法-电子工程专辑Web 结果2023年9月25日 碳化硅有望成为下一代功率器件的优秀材料，因为它们具有宽禁带。 RCA清洗通常用于Si晶圆制造，但这类清洗针对Si晶圆进行了优化。 目前尚不清
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使用稀释的HCN水溶液的碳化硅清洗方法 - 知乎
Web 结果2022年9月8日 首先，使用RCA方法清洗4H–sic 0001晶圆。. 然后，将晶片浸入0.08米氯化铜加0.08米氯化镍溶液中，室温下的酸碱度为9，持续10，进行深度污染，然后用超纯水冲洗10。. 然后，使 使用稀释的HCN水溶液的碳化硅清洗方法 - 知乎Web 结果2022年9月8日 首先，使用RCA方法清洗4H–sic 0001晶圆。. 然后，将晶片浸入0.08米氯化铜加0.08米氯化镍溶液中，室温下的酸碱度为9，持续10，进行深度污染，然后用超纯水冲洗10。. 然后，使
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一种碳化硅晶片的清洗方法 - 百度学术
Web 结果本申请公开了一种碳化硅晶片的清洗方法,属于半导体材料制备领域.该碳化硅晶片的清洗方法包括等离子清洗和湿法清洗步骤.该碳化硅晶片的清洗方法使得碳化硅晶片表面 一种碳化硅晶片的清洗方法 - 百度学术Web 结果本申请公开了一种碳化硅晶片的清洗方法,属于半导体材料制备领域.该碳化硅晶片的清洗方法包括等离子清洗和湿法清洗步骤.该碳化硅晶片的清洗方法使得碳化硅晶片表面
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碳化硅外延片制备流程 - 知乎
Web 结果2023年4月27日 碳化硅. 材料科学. 化学. 碳化硅衬底外延片制作主要分为以下步骤： 1. 衬底制备：选取高纯度的碳化硅单晶作为衬底，通过加热清洗等工艺处理，消除表面杂质和缺陷。 2. CVD（化学气相沉 碳化硅外延片制备流程 - 知乎Web 结果2023年4月27日 碳化硅. 材料科学. 化学. 碳化硅衬底外延片制作主要分为以下步骤： 1. 衬底制备：选取高纯度的碳化硅单晶作为衬底，通过加热清洗等工艺处理，消除表面杂质和缺陷。 2. CVD（化学气相沉
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碳化硅生产工艺_百度文库
Web 结果碳化硅生产工艺_百度文库. 图1合成碳化硅流程图. （四)合成碳化硅的理化性能. 1。 合成碳化硅的化学成分. （一）合成碳化硅的国家标准 (GB/T 2480—1981)见表5。 碳化硅生产工艺_百度文库Web 结果碳化硅生产工艺_百度文库. 图1合成碳化硅流程图. （四)合成碳化硅的理化性能. 1。 合成碳化硅的化学成分. （一）合成碳化硅的国家标准 (GB/T 2480—1981)见表5。
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一种碳化硅表面处理方法与流程 - X技术网
Web 结果2019年11月16日 步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末； 步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除 一种碳化硅表面处理方法与流程 - X技术网Web 结果2019年11月16日 步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末； 步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除
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碳化硅工艺流程有哪些？ - 知乎
Web 结果2024年2月14日 关注. 碳化硅又称金钢砂或耐火砂，是一种人工合成的无机非金属材料。. 碳化硅工艺流程主要有以下几个步骤：. 1. 原料准备：需要准备硅砂、碳素材料（石油焦、无烟煤等）、石英砂等原料。. 2. 破碎和筛分：将原料进行破碎和筛分，得到合适的粒度。. 3. 配料 ... 碳化硅工艺流程有哪些？ - 知乎Web 结果2024年2月14日 关注. 碳化硅又称金钢砂或耐火砂，是一种人工合成的无机非金属材料。. 碳化硅工艺流程主要有以下几个步骤：. 1. 原料准备：需要准备硅砂、碳素材料（石油焦、无烟煤等）、石英砂等原料。. 2. 破碎和筛分：将原料进行破碎和筛分，得到合适的粒度。. 3. 配料 ...
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碳化硅微粉生产工艺流程 - 百家号
Web 结果2023年11月3日 碳化硅制粒生产工艺流程. 一般将F4～F220粒度的磨料称为磨粒，将F230～F1200粒度的磨料称为微粉。. 磨粒加工采用筛分分级，微粉采用水力分级。. 碳化硅微粉. 制粒工艺过程包括：结晶块破碎→筛分→水洗→酸洗→碱洗→磁选→整形→煅烧（烘干）→精筛→检查 ... 碳化硅微粉生产工艺流程 - 百家号Web 结果2023年11月3日 碳化硅制粒生产工艺流程. 一般将F4～F220粒度的磨料称为磨粒，将F230～F1200粒度的磨料称为微粉。. 磨粒加工采用筛分分级，微粉采用水力分级。. 碳化硅微粉. 制粒工艺过程包括：结晶块破碎→筛分→水洗→酸洗→碱洗→磁选→整形→煅烧（烘干）→精筛→检查 ...
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碳化硅粉体清洗工艺 - 百度文库
Web 结果碳化硅粉体作为一种常见的粉状材料，在生产和加工过程中经常需要进行清洗和除尘处理。. 碳化硅粉体清洗工艺主要包括以下步骤：. 1.准备清洗液：根据碳化硅粉体的性质和污染程度，选择合适的清洗液。. 一般来说，碳化硅粉体的清洗液可以是水或有机溶剂 ... 碳化硅粉体清洗工艺 - 百度文库Web 结果碳化硅粉体作为一种常见的粉状材料，在生产和加工过程中经常需要进行清洗和除尘处理。. 碳化硅粉体清洗工艺主要包括以下步骤：. 1.准备清洗液：根据碳化硅粉体的性质和污染程度，选择合适的清洗液。. 一般来说，碳化硅粉体的清洗液可以是水或有机溶剂 ...
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碳化硅晶片生产工艺流程合集 - 百度文库
Web 结果碳化硅生产工艺流程 碳化硅是一种重要的无机材料，具有许多优异的性能，如高熔点、高 硬度、高耐化学性等。碳化硅广泛应用于陶瓷工业、电子工业、化工工业 等领域。下面是碳化硅的常见生产工艺流程。 1.原料准备：碳化硅的主要原料包括硅石和石墨。 碳化硅晶片生产工艺流程合集 - 百度文库Web 结果碳化硅生产工艺流程 碳化硅是一种重要的无机材料，具有许多优异的性能，如高熔点、高 硬度、高耐化学性等。碳化硅广泛应用于陶瓷工业、电子工业、化工工业 等领域。下面是碳化硅的常见生产工艺流程。 1.原料准备：碳化硅的主要原料包括硅石和石墨。
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碳化硅磨料生产中连续碱洗酸洗及脱水的研究.pdf 2页-高清 ...
Web 结果2015年8月7日 上传文档. 碳化硅磨料生产中连续碱洗酸洗及脱水的研究.pdf,金属学与金属工艺维普资讯 《空刚石与磨料磨具I程》 碳化硅磨料生产中连续碱洗酸洗及脱水的研究 450~7 机械工业部六院 (郑州)青 山技术开发 中心 李学海 450~7 机械工业部第六设计研究院 胡天全 摘要 ... 碳化硅磨料生产中连续碱洗酸洗及脱水的研究.pdf 2页-高清 ...Web 结果2015年8月7日 上传文档. 碳化硅磨料生产中连续碱洗酸洗及脱水的研究.pdf,金属学与金属工艺维普资讯 《空刚石与磨料磨具I程》 碳化硅磨料生产中连续碱洗酸洗及脱水的研究 450~7 机械工业部六院 (郑州)青 山技术开发 中心 李学海 450~7 机械工业部第六设计研究院 胡天全 摘要 ...
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碳化硅酸洗废水资源化处理工艺 - Dowater
Web 结果2018年3月6日 本发明涉及一种酸洗废水处理工艺，特别是碳化硅酸洗废水资源化处理工艺，它适用于碳化硅行业的酸洗废水资源化回收利用。 背景技术 碳化硅是耐材、磨料和光伏行业的基础原材料，我国现有碳化硅企业500多家。 碳化硅酸洗废水资源化处理工艺 - DowaterWeb 结果2018年3月6日 本发明涉及一种酸洗废水处理工艺，特别是碳化硅酸洗废水资源化处理工艺，它适用于碳化硅行业的酸洗废水资源化回收利用。 背景技术 碳化硅是耐材、磨料和光伏行业的基础原材料，我国现有碳化硅企业500多家。
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cvd碳化硅工艺流程 - 百度文库
Web 结果在进行CVD碳化硅前，需要对基底表面进行处理，以去除表面的杂质和氧化物。常用的表面处理方法包括酸洗、碱洗和高温退火等。这些处理可以提高薄膜的附着力和质量。 cvd碳化硅工艺流程 CVD碳化硅ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ艺流程 cvd碳化硅工艺流程 - 百度文库Web 结果在进行CVD碳化硅前，需要对基底表面进行处理，以去除表面的杂质和氧化物。常用的表面处理方法包括酸洗、碱洗和高温退火等。这些处理可以提高薄膜的附着力和质量。 cvd碳化硅工艺流程 CVD碳化硅ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ艺流程
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碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎
Web 结果2024年2月29日 导电型碳化硅衬底主要应用于制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。碳化硅单晶衬底的生产流程 01 原料准备 物理气相传输法（PVT）需要将Si和C按1:1合成SiC多晶颗粒粉料，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量，特别是半绝缘型衬底，对粉料的 ... 碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎Web 结果2024年2月29日 导电型碳化硅衬底主要应用于制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。碳化硅单晶衬底的生产流程 01 原料准备 物理气相传输法（PVT）需要将Si和C按1:1合成SiC多晶颗粒粉料，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量，特别是半绝缘型衬底，对粉料的 ...
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干货分享：几种酸洗技术讲解及对比 - 知乎
Web 结果2021年1月4日 相较于Turboflo酸洗，浅槽紊流酸洗槽内的结构简单，投资稍低。. 2.3节能方面对比IB0X酸洗系统在正常生产时，不需要酸洗循环系统，节能优势明显，其余两种酸洗技术耗能上无太大区别，主要看工艺制度的执行情况。. 2.4维护检修方面对比从维护角度来看，与浅槽 ... 干货分享：几种酸洗技术讲解及对比 - 知乎Web 结果2021年1月4日 相较于Turboflo酸洗，浅槽紊流酸洗槽内的结构简单，投资稍低。. 2.3节能方面对比IB0X酸洗系统在正常生产时，不需要酸洗循环系统，节能优势明显，其余两种酸洗技术耗能上无太大区别，主要看工艺制度的执行情况。. 2.4维护检修方面对比从维护角度来看，与浅槽 ...
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碳化硅晶片清洗工艺_百度文库
Web 结果碳化硅晶片清洗工艺- 六、结论碳化硅晶片清洗是保证其性能和可靠性的重要步骤。通过预清洗、酸洗、碱洗、水洗、二次清洗和干燥等工艺步骤，可以有效去除晶片表面的杂质和污染物，提高晶片的纯净度。在进行清洗过程中，需要严格按照工艺要求 ... 碳化硅晶片清洗工艺_百度文库Web 结果碳化硅晶片清洗工艺- 六、结论碳化硅晶片清洗是保证其性能和可靠性的重要步骤。通过预清洗、酸洗、碱洗、水洗、二次清洗和干燥等工艺步骤，可以有效去除晶片表面的杂质和污染物，提高晶片的纯净度。在进行清洗过程中，需要严格按照工艺要求 ...
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一种碳化硅微粉生产用酸洗除杂装置及其实施方法与流程
Web 结果2022年9月16日 47.一种碳化硅微粉生产用酸洗除杂装置的实施方法，包括以下步骤：. 48.s1、首先在酸洗容器3中填入碳化硅微粉，再在酸洗池1中分别加入酸洗液或者纯净水；. 49.s2、过驱动电机7带动支撑轴8的转动可带动酸洗容器3在酸洗池1中做圆周运动，螺旋轴6的一端在螺旋形 ... 一种碳化硅微粉生产用酸洗除杂装置及其实施方法与流程Web 结果2022年9月16日 47.一种碳化硅微粉生产用酸洗除杂装置的实施方法，包括以下步骤：. 48.s1、首先在酸洗容器3中填入碳化硅微粉，再在酸洗池1中分别加入酸洗液或者纯净水；. 49.s2、过驱动电机7带动支撑轴8的转动可带动酸洗容器3在酸洗池1中做圆周运动，螺旋轴6的一端在螺旋形 ...
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一种碳化硅粉体的制备方法与流程 - X技术网
Web 结果2022年1月12日 8.一种碳化硅粉体的制备方法，包括以下步骤：. 9.s1、将粉磨后的粉煤灰或镍铁渣加入到酸性溶液中浸洗，浸洗温度50-70℃，浸洗时间6-24h，浸洗完成后固液分离，沉淀以去离子水洗涤至中性，干燥后得到酸洗产物；. 10.s2、按质量比例 (1.3-1.4)：1：0.02分别称取所述 ... 一种碳化硅粉体的制备方法与流程 - X技术网Web 结果2022年1月12日 8.一种碳化硅粉体的制备方法，包括以下步骤：. 9.s1、将粉磨后的粉煤灰或镍铁渣加入到酸性溶液中浸洗，浸洗温度50-70℃，浸洗时间6-24h，浸洗完成后固液分离，沉淀以去离子水洗涤至中性，干燥后得到酸洗产物；. 10.s2、按质量比例 (1.3-1.4)：1：0.02分别称取所述 ...
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【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法-电子工程专辑
Web 结果2023年9月25日 两种清洗方法比较. 图2a所示，AFM数据显示清洗前的SiC模型晶圆表面可以看到许多颗粒。. 纯水的接触角为70°，检测到疏水蜡。. RCA清洗后，一些颗粒残留在表面上（图2b）。. 然而，在新的清洁方法之后，未观察到任何颗粒（图2c），并且接触角减小到42°。. 我们 ... 【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法-电子工程专辑Web 结果2023年9月25日 两种清洗方法比较. 图2a所示，AFM数据显示清洗前的SiC模型晶圆表面可以看到许多颗粒。. 纯水的接触角为70°，检测到疏水蜡。. RCA清洗后，一些颗粒残留在表面上（图2b）。. 然而，在新的清洁方法之后，未观察到任何颗粒（图2c），并且接触角减小到42°。. 我们 ...
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碳化硅酸洗流程
Web 结果碳化硅酸洗废水处理工艺 2022517碳化硅酸洗废水处理工艺采用单膜电渗析+沉淀+过滤的工艺流程，采用单膜电渗析设备作为碳化硅酸洗废水资源化处理工艺的核心技术设备。.(b)然后，用耐酸泵将调节池中的硫酸酸洗废水提升至单膜电渗析设备的阴极室，调节电渗析设备的运行电压为30V～44V之间一种 ... 碳化硅酸洗流程Web 结果碳化硅酸洗废水处理工艺 2022517碳化硅酸洗废水处理工艺采用单膜电渗析+沉淀+过滤的工艺流程，采用单膜电渗析设备作为碳化硅酸洗废水资源化处理工艺的核心技术设备。.(b)然后，用耐酸泵将调节池中的硫酸酸洗废水提升至单膜电渗析设备的阴极室，调节电渗析设备的运行电压为30V～44V之间一种 ...
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半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法 - 中国工程科技知识中心 ...
Web 结果2021年4月17日 本发明公开了一种半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法,属于碳化硅微粉生产技术领域。. 解决了现有技术生产的碳化硅微粉杂质含量较高,提纯难度大的问题。. 其包括以下步骤: (1)调浆:将研磨好的碳化硅微粉投入搅拌桶内,加去离子水调节料浆浓度; (2)酸洗:加入 ... 半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法 - 中国工程科技知识中心 ...Web 结果2021年4月17日 本发明公开了一种半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法,属于碳化硅微粉生产技术领域。. 解决了现有技术生产的碳化硅微粉杂质含量较高,提纯难度大的问题。. 其包括以下步骤: (1)调浆:将研磨好的碳化硅微粉投入搅拌桶内,加去离子水调节料浆浓度; (2)酸洗:加入 ...
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使用稀释的HCN水溶液的碳化硅清洗方法 - 知乎
Web 结果2022年9月8日 RCA方法通常被认为是碳化硅清洗的唯一合适的技术。. 在本文中，研究了RCA方法的机理，特别是HPM技术，并且已经表明只有在两种清洗溶液，即先后使用了HPM和氰化氢HCN溶液。. 首先，使用RCA方法清洗4H–sic 0001晶圆。. 然后，将晶片浸入0.08米氯化铜加0.08米氯化镍 ... 使用稀释的HCN水溶液的碳化硅清洗方法 - 知乎Web 结果2022年9月8日 RCA方法通常被认为是碳化硅清洗的唯一合适的技术。. 在本文中，研究了RCA方法的机理，特别是HPM技术，并且已经表明只有在两种清洗溶液，即先后使用了HPM和氰化氢HCN溶液。. 首先，使用RCA方法清洗4H–sic 0001晶圆。. 然后，将晶片浸入0.08米氯化铜加0.08米氯化镍 ...
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碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法 - 今日头条 - 电子 ...
Web 结果2022年4月7日 引言 碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。 这项工作将100毫米或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压(MCV)绘图 ... 碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法 - 今日头条 - 电子 ...Web 结果2022年4月7日 引言 碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。 这项工作将100毫米或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压(MCV)绘图 ...
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碳化硅磨料生产中连续碱酸洗及脱水的研究-普通磨料,机械设备 ...
Web 结果2016年5月27日 摘要： 本文对国内目前碳化硅磨料生产中碱洗、酸洗、脱水工序的工艺及设备进行了分析，并针对存在的问题从工艺及设备方面提出了解决方法，为磨料的碱酸洗、脱水的连续生产开辟了新的途径. 在碳化硅磨料生产过程中为了提高碳化硅的含量，减少杂质，需 ... 碳化硅磨料生产中连续碱酸洗及脱水的研究-普通磨料,机械设备 ...Web 结果2016年5月27日 摘要： 本文对国内目前碳化硅磨料生产中碱洗、酸洗、脱水工序的工艺及设备进行了分析，并针对存在的问题从工艺及设备方面提出了解决方法，为磨料的碱酸洗、脱水的连续生产开辟了新的途径. 在碳化硅磨料生产过程中为了提高碳化硅的含量，减少杂质，需 ...
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一种碳化硅表面处理方法与流程 - X技术网
Web 结果2019年11月16日 步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末；. 步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除去所述碳化硅粉末表面的游离碳；. 步骤三、对除碳后的碳化硅粉末进行酸洗和碱洗，以对除碳后的碳化硅粉末进行 ... 一种碳化硅表面处理方法与流程 - X技术网Web 结果2019年11月16日 步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末；. 步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除去所述碳化硅粉末表面的游离碳；. 步骤三、对除碳后的碳化硅粉末进行酸洗和碱洗，以对除碳后的碳化硅粉末进行 ...
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碳化硅微粉酸洗设备 - 百度学术
Web 结果2017年3月25日 摘要： 本实用新型涉及到碳化硅微粉处理设备领域,具体涉及到碳化硅微粉酸洗设备.包括酸洗罐,酸洗罐顶板上设置有电动伸缩缸,圆形上板下方设置有下板,上板与下板之间通过轴向龙骨连接,轴向龙骨由径向龙骨固定连接,上板和下板之间设置有滤网,上板上设置电机,电机的转轴上设置有搅拌杆,下板上 ... 碳化硅微粉酸洗设备 - 百度学术Web 结果2017年3月25日 摘要： 本实用新型涉及到碳化硅微粉处理设备领域,具体涉及到碳化硅微粉酸洗设备.包括酸洗罐,酸洗罐顶板上设置有电动伸缩缸,圆形上板下方设置有下板,上板与下板之间通过轴向龙骨连接,轴向龙骨由径向龙骨固定连接,上板和下板之间设置有滤网,上板上设置电机,电机的转轴上设置有搅拌杆,下板上 ...
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